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All The Best

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Created on By aajkatopper



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For a common-emitter transistor, input current is 5 μA, β = 100 circuit is operated at load resistance of 10 kΩ then voltage across load will be :-
किसी उभयनिष्ठ उत्सर्जक ट्रांजिस्टर के लिये निवेशी धारा 5μA, तथा β = 100 है। इस 10kΩ के लोड प्रतिरोध पर संचालित किया जाता है तो लोड के सिरों पर वोल्टता होगी:

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A transistor is operated in common emitter configuration at VC = 2 V such that a change in the base current from 100 µA to 300 µA produces a change in the collector current from 10 mA to 20 mA. The current gain is :-
एक ट्रांजिस्टर का प्रचालन VC = 2V पर उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में करने पर, आधार धारा में 100µA से 300µA परिवर्तन से संग्राहक - धारा में परिवर्तन 10mA से 20 mA हो जाता है, तो धारा लब्धि है :

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If a small amount of antimony is added to germanium crystal :
यदि जर्मेनियम क्रिस्टल में एन्टिमनी की अल्पमात्रा मिला दी जाये तो :

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Transfer characteristics [(output voltage (V0) vs input voltage (V1)] for a base biased transistor in CE configuration is as shown in the figure. For using transistor as a switch, it is used.
किसी भी आधार बायसित ट्रॉजिस्टर के लिये CE विन्यास में अन्तरण अभिलक्षण [ निर्गत वोल्टता (V0) तथा निवेश वोल्टता (V1) के बीच] आरेख में दर्शाया गया है। ट्रॉजिस्टर का स्विच के रूप में उपयोग करने के लिये, इस का उपयोग किया जात है।

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In the given circuit, the voltage across the load is maintained at 12 V. The current in the zener diode varies from 0-50 mA. What is the maximum wattage of the diode ?
दिये गए परिपथ में लोड के सिरों पर वोल्टता 12 V है। डायोड में धारा 0-50mA तक परिवर्तित होती है। डायोड की अधिकतम वाटेज (शक्ति) क्या होगी ?

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Symbolic representation of four logic gates are shown as :-Pick out which ones are for AND, NAND and NOT gates, respectively :-
चार तर्क द्वारों के प्रतीकों को निम्न प्रकार निरूपित किया जाता है इनमें AND, NAND और NOT द्वार क्रमश: है :

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Which of the following current must be zero in an unbiased P.N. junction diode :-
अनबायसित P.N. संधि डायोड में निम्न में से कौनसी धारा शून्य होगी

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Direction of electric field in P-N Junction diode is:
P-N संधि डायोड में विद्युत क्षेत्र की दिशा होती है

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The output (X) of the logic circuit shown in figure will be :
आरेख में दर्शाये गये तर्क गेट (द्वार) का निर्गत (X) होगा :

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The figure shown a logic circuit two inputs A and B and the output C. The voltage wave forms across A, B and C are as given. The logic circuit gate is:
आरेख में एक तर्क परिपथ दर्शाया गया है, जिसमें दो निवेश A तथा B और C है। A, B तथा C के वोल्टता तरंगरूप दिये गये अनुसार हैं तो, तर्क परिपथ गेट है:

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The barrier potential of a p-n junction depends on:
किसी p-n संधि का रोधक विभव निर्भर करता है:
(a) type of semiconductor material
अर्ध-चालक के पदार्थ पर
(b) amount of doping
अपमिश्रण की मात्रा पर
(c) temperature
ताप पर
Which one of the following is correct ?
निम्नांकित में से कौनसा सही है?

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Pure Si at 500 K has equal number of electron (ne) and hole (nh) concentrations to 1.5 × 1016 m–3. Doping by indium increases nh to 4.5 × 1022 m–3. The doped semiconductor is of :-
500K ताप पर शुद्ध सिलिकन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या (ne) तथा होलों की संख्या (nh) दोनों की ही सांद्रता 1.5x1016m-3 है इंडियम द्वारा मादन (अपमिश्रण) करने परnh का मान बढ़कर 4.5 x1022m-3 हो जाता है तो मंदित अर्ध चालक है:

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The given graph represents V - I characteristic for a semiconductor device.Which of the following statement is correct ?
यहाँ ग्राफ (आलेख) में एक अर्ध-चालक युक्ति का V - I अभिलक्षण दर्शाया गया है। इसके लिये निम्नलिखित में से कौनसा कथन सही है?

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The input resistance of a silicon transistor is 100 Ω. Base current is changed by 40 µA which results in a change in collector current by 2 mA. This transistor is used as a common emitter amplifier with a load resistance of 4 kΩ. The voltage gain of the amplifier is :
किसी सिलिकन ट्रांजिस्टर का निवेश प्रतिरोध 100Ω है। आधार धारा में 40µA के परिवर्तन से संग्राहक धारा में 2mA का परिवर्तन होता है। इस ट्रांजिस्टर का, उभयनिष्ठ- उत्सर्जक -प्रवर्धक के रूप में, 4KΩ लोड प्रतिरोध के साथ उपयोग किया गया है। तो, प्रवर्धक की वोल्टता लब्धि होगी:

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C and Si both have same lattice structure, having 4 bonding electrons in each. However, C is insulator where as Si is intrinsic semiconductor. This is because :
C और SI की एक सी जालक संरचना होती है। दोनों में 4 आबंधक इलेक्ट्रॉन होते हैं। किन्तु C एक रोधी है और SI एक अर्धचालक है। क्योंकि

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In common emitter transistor, current gain is 100 and base current is 2mA. If load resistance is 0.25Ω then voltage across load resistance is:
उभयनिष्ठ उत्सर्जित ट्रॉजिस्टर में धारा लब्धि का मान 100 तथा आधार धारा का मान 2mA है। 0.25Ω हो तो लोड प्रतिरोध पर वोल्टता का मान होगा

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Which of the following statement is not correct
निम्न में से कौनसा कथन सत्य नहीं है?

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In the following figure, the diodes which are forward biased, are :-
निम्नांकित आरेखों में, अग्र बायसित डायोड है :

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Given that the mobility of electrons in Ge is 0.4 metre square/volt sec and electronic charge is 1.6 × 10–19 C. How many donor atom (per m3) have in semiconductor of conductivity 500 mho/m :-
Ge में इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता 0.4 वर्ग मीटर/वोल्ट सेकण्ड तथा इलेक्ट्रॉनिक आवेश 1.6 ×10- 19 C है 500mho/m चालकता के अर्द्धचालक में कितने दाता परमाणु (प्रति मीटर3) होंगे :

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In a n-type semiconductor, which of the following statement is true:
n-प्रकार के अर्धचालक के लिए कौनसा कथन सत्य है:

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