SEMICONDUCTOR AND ELECTRONICS ONLINE TEST - 07

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Created on May 26, 2022 By

aajkatopper

Physics

SEMICONDUCTOR & ELECTRONICS TEST - 7

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For a common-emitter transistor, input current is 5 μA, β = 100 circuit is operated at load resistance of 10 kΩ then voltage across load will be :-
किसी उभयनिष्ठ उत्सर्जक ट्रांजिस्टर के लिये निवेशी धारा 5μA, तथा β = 100 है। इस 10kΩ के लोड प्रतिरोध पर संचालित किया जाता है तो लोड के सिरों पर वोल्टता होगी:

(1) 5 V

(2) 10 V

(3) 12.5 V

(4) 7.5 V

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The input resistance of a silicon transistor is 100 Ω. Base current is changed by 40 µA which results in a change in collector current by 2 mA. This transistor is used as a common emitter amplifier with a load resistance of 4 kΩ. The voltage gain of the amplifier is :
किसी सिलिकन ट्रांजिस्टर का निवेश प्रतिरोध 100Ω है। आधार धारा में 40µA के परिवर्तन से संग्राहक धारा में 2mA का परिवर्तन होता है। इस ट्रांजिस्टर का, उभयनिष्ठ- उत्सर्जक -प्रवर्धक के रूप में, 4KΩ लोड प्रतिरोध के साथ उपयोग किया गया है। तो, प्रवर्धक की वोल्टता लब्धि होगी:

(1) 4000

(2) 1000

(3) 2000

(4) 3000

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The figure shown a logic circuit two inputs A and B and the output C. The voltage wave forms across A, B and C are as given. The logic circuit gate is:
आरेख में एक तर्क परिपथ दर्शाया गया है, जिसमें दो निवेश A तथा B और C है। A, B तथा C के वोल्टता तरंगरूप दिये गये अनुसार हैं तो, तर्क परिपथ गेट है:

(1) AND gate

(2) NAND gate

(3) OR gate

(4) NOR gate

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A transistor is operated in common emitter configuration at V_C = 2 V such that a change in the base current from 100 µA to 300 µA produces a change in the collector current from 10 mA to 20 mA. The current gain is :-
एक ट्रांजिस्टर का प्रचालन V_C = 2V पर उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में करने पर, आधार धारा में 100µA से 300µA परिवर्तन से संग्राहक - धारा में परिवर्तन 10mA से 20 mA हो जाता है, तो धारा लब्धि है :

(1) 50

(2) 75

(3) 100

(4) 25

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The given graph represents V - I characteristic for a semiconductor device.Which of the following statement is correct ?
यहाँ ग्राफ (आलेख) में एक अर्ध-चालक युक्ति का V - I अभिलक्षण दर्शाया गया है। इसके लिये निम्नलिखित में से कौनसा कथन सही है?

(1) It is V - I characteristic for solar cell where, point A represents open circuit voltage and point B short circuit current.
यह ' सौर सेल' का V - I अभिलक्षण है, जहाँ A, खुले परिपथ में वोल्टता तथा B लघु- परिपथन विद्युत धारा को निरूपित करता है।

(2) It is a for a solar cell and point A and B represent open circuit voltage and current, respectively.
यह' सौर सेल' के लिये हैतथा A और B खुले परिपथ में क्रमश: वोल्टता तथा विद्युत धारा को निरूपित करते हैं।

(3) It is for a photodiode and points A and B represent open circuit voltage and current, respectively.
यह 'फोटो डायोड' के लिये है तथा A औ B खुले परिपथ में क्रमश: वोल्टता तथा विद्युत धारा को निरूपित करते हैं।

(4) It is for a LED and points A and B represent open circuit voltage and short circuit current, respectively.
यह LED के लिये है और A तथा B खुले परिपथ मॅक्रमश: वोल्टता तथा लघु- परिपथ में विद्युत धारा को निरूपित करते हैं।

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The output (X) of the logic circuit shown in figure will be :
आरेख में दर्शाये गये तर्क गेट (द्वार) का निर्गत (X) होगा :

(1) X = $\overline{A+B}$

(2) X = $\overline{\overline{A}}.\overline{\overline{B}}$

(3) X = $\overline{A.B}$

(4) X = A.B

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Which of the following statement is not correct
निम्न में से कौनसा कथन सत्य नहीं है?

(1) emitter is highly doped
उत्सर्जक उच्च मादित होता है

(2) base is lightly doped
आधार निम्न मादित होता है

(3) base is thin in size
आधार आकार में पतला होता है

(4) collector is comparable with emitter
संग्राहक, उत्सर्जक के तुलनीय होता है।

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Pure Si at 500 K has equal number of electron (n_e) and hole (n_h) concentrations to 1.5 × 10¹⁶ m³. Doping by indium increases n_h to 4.5 × 10²² m³. The doped semiconductor is of :-
500K ताप पर शुद्ध सिलिकन में इलेक्ट्रॉनों की संख्या (n_e) तथा होलों की संख्या (n_h) दोनों की ही सांद्रता 1.5x10¹⁶m^-3 है इंडियम द्वारा मादन (अपमिश्रण) करने परn_h का मान बढ़कर 4.5 x10²²m^-3 हो जाता है तो मंदित अर्ध चालक है:

(1) p-type having electron concentrations ne = 5 × 10⁹ m³

(2) n-type with electron concentration ne = 5 × 10²² m³

(3) P-type with electron concentration ne = 2.5 × 10¹⁰ m³

(4) n-type with electron concentration ne=2.5 × 10²³ m³

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Which of the following current must be zero in an unbiased P.N. junction diode :-
अनबायसित P.N. संधि डायोड में निम्न में से कौनसी धारा शून्य होगी

(1) Current due to majority charge carriers (both electrons and holes)
बहुसंख्यक आवेश वाहकों (इलेक्ट्रॉन व हॉल दोनों) के कारण धारा

(2) Current due to minority charge carriers (both electrons and holes)
अल्पसंख्यक आवेश वाहकों (इलेक्ट्रॉन व हॉल दोनों) के कारण धारा

(3) Current due to majority & minority charge carriers
बहुसंख्यक एवं अल्पसंख्यक आवेश वाहकों के कारण धारा

(4) Current due to majority and minority charge carriers (only holes)
बहुसंख्यक एवं अल्पसंख्यक आवेश वाहकों (केवल होल) के कारण धारा

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In common emitter transistor, current gain is 100 and base current is 2mA. If load resistance is 0.25Ω then voltage across load resistance is:
उभयनिष्ठ उत्सर्जित ट्रॉजिस्टर में धारा लब्धि का मान 100 तथा आधार धारा का मान 2mA है। 0.25Ω हो तो लोड प्रतिरोध पर वोल्टता का मान होगा

(1) 5V

(2) 5mV

(3) 50mV

(4) 500mV

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Transfer characteristics [(output voltage (V₀) vs input voltage (V₁)] for a base biased transistor in CE configuration is as shown in the figure. For using transistor as a switch, it is used.
किसी भी आधार बायसित ट्रॉजिस्टर के लिये CE विन्यास में अन्तरण अभिलक्षण [ निर्गत वोल्टता (V₀) तथा निवेश वोल्टता (V₁) के बीच] आरेख में दर्शाया गया है। ट्रॉजिस्टर का स्विच के रूप में उपयोग करने के लिये, इस का उपयोग किया जात है।

(1) in region II
क्षेत्र II में

(2) in region I
क्षेत्र 1 में

(3) in region III
क्षेत्र III में

(4) both in region (I) & (III)
क्षेत्र (I) तथा क्षेत्र (III) दोनों में

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Symbolic representation of four logic gates are shown as :-Pick out which ones are for AND, NAND and NOT gates, respectively :-
चार तर्क द्वारों के प्रतीकों को निम्न प्रकार निरूपित किया जाता है इनमें AND, NAND और NOT द्वार क्रमश: है :

(1) (ii), (iii) and (iv)

(2) (iii), (ii) and (i)

(3) (iii), (ii) and (iv)

(4) (ii), (iv) and (iii)

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Given that the mobility of electrons in Ge is 0.4 metre square/volt sec and electronic charge is 1.6 × 10¹⁹ C. How many donor atom (per m³) have in semiconductor of conductivity 500 mho/m :-
Ge में इलेक्ट्रॉनों की गतिशीलता 0.4 वर्ग मीटर/वोल्ट सेकण्ड तथा इलेक्ट्रॉनिक आवेश 1.6 ×10^{- 19} C है 500mho/m चालकता के अर्द्धचालक में कितने दाता परमाणु (प्रति मीटर³) होंगे :

(1) 8 × 10²¹

(2) 8 × 10¹⁵

(3) 5 × 10²¹

(3) 8 × 10¹⁶

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Direction of electric field in P-N Junction diode is:
P-N संधि डायोड में विद्युत क्षेत्र की दिशा होती है

(1) From P side to N-side
P से N की ओर

(2) From N side to P-side
N से P की ओर

(3) Randomly oriented
यादृच्छिक रूप से

(4) Electric field does not exist
विद्युत क्षेत्र विद्यमान ही नहीं होता है।

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C and Si both have same lattice structure, having 4 bonding electrons in each. However, C is insulator where as Si is intrinsic semiconductor. This is because :
C और SI की एक सी जालक संरचना होती है। दोनों में 4 आबंधक इलेक्ट्रॉन होते हैं। किन्तु C एक रोधी है और SI एक अर्धचालक है। क्योंकि

(1) The four bonding electrons in the case of C lie in the second orbit, whereas in the case of Si they lie in the third.
C में चार आबंधक इलेक्ट्रॉन द्वितीय कक्षा में है जबकि St में वे तृतीय कक्षा में होते हैं।

(2) The four bonding electrons in the case of C lie in the third orbit, whereas for Si they lie in the fourth orbit.
C में आबंधक इलेक्ट्रॉन तृतीय कक्षा में होते हैं जबकि Si में वे चौथी (चतुर्थ) कक्ष में होते हैं।

(3) In case of C the valence band is not completely filled at absolute zero temperature.
C में, परमशून्य ताप पर संयोजकता बैंड पूरा भरा नहीं होता है।

(4) In case of C the conduction band is partly filled even at absolute zero temperature
C में, परमशून्य ताप भी चालन बैंड आंशिक रूप से भरा होता है।

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If a small amount of antimony is added to germanium crystal :
यदि जर्मेनियम क्रिस्टल में एन्टिमनी की अल्पमात्रा मिला दी जाये तो :

(1) it becomes a p-type semiconductor
वह p प्रकार का अर्धचालक बन जाता है।

(2) the antimony becomes an acceptor atom
एन्टिमनी ग्राहक परमाणु बन जाता है।

(3) there will be more free electrons than holes in the semiconductor
अर्ध-चालक में होलों की अपेक्षा अधिक मुक्त इलेक्ट्रॉन होंगे।

(4) its resistance is increased
उसका प्रतिरोध बढ़ जाता है।

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In the following figure, the diodes which are forward biased, are :-
निम्नांकित आरेखों में, अग्र बायसित डायोड है :

(1) (a), (b) and (d)

(2) (c) only

(3) (a) and (c)

(4) (b) and (d)

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The barrier potential of a p-n junction depends on:
किसी p-n संधि का रोधक विभव निर्भर करता है:
(a) type of semiconductor material
अर्ध-चालक के पदार्थ पर
(b) amount of doping
अपमिश्रण की मात्रा पर
(c) temperature
ताप पर
Which one of the following is correct ?
निम्नांकित में से कौनसा सही है?

(1) (a) and (b) only

(2) (b) only

(3) (b) and (c )only

(4) (a), (b) and (c)

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In a n-type semiconductor, which of the following statement is true:
n-प्रकार के अर्धचालक के लिए कौनसा कथन सत्य है:

(1) Holes are majority carriers and trivalent atoms are dopants.
होल बहुसंख्यक आवेश वाहक होते हैं तथा त्रि-संयोजक परमाणु अपमिश्रक होते हैं।

(2) Electrons are majority carriers and trivalent atoms are dopants.
इलेक्ट्रॉन बहुसंख्यक आवेश वाहक, तथा त्रिसंयोजक परमाणु अपमिश्रक होते हैं।

(3) Electron are minority carriers and pantavalent atoms are dopants.
इलेक्ट्रॉन अल्पांश आवेश वाहक तथा पंचसंयोजी परमाणु अपमिश्रक होते हैं।

(4) Holes are minority carriers and pentavalent atoms are dopants.
होल अल्पांश आवेश वाहक तथा पंचसंयोजी परमाणु अपमिश्रक होते हैं।

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In the given circuit, the voltage across the load is maintained at 12 V. The current in the zener diode varies from 0-50 mA. What is the maximum wattage of the diode ?
दिये गए परिपथ में लोड के सिरों पर वोल्टता 12 V है। डायोड में धारा 0-50mA तक परिवर्तित होती है। डायोड की अधिकतम वाटेज (शक्ति) क्या होगी ?

(1) 12 W

(2) 6 W

(3) 0.6 W

(4) 1.2 W

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