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Physics

SEMICONDUCTOR & ELECTRONICS TEST - 8

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In a P-N-P transistor working in common emitter mode IC = 2m A, IB = 5µA and RB = 500 Ω Find transconductance ?
एक P-N-Pट्रांजिस्टर उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास से काम कर रहा है। यदि IC = 2mA, IB = 5µA और RB = 500Ω हो अंतराचालकता का मान होगा :

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Find current through Zener diode.
जेनर डायोड से प्रवाहित धारा होगी

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A zener diode provides 6 V voltage to load resistance (RL). If current by battery may vary from 0 to 100 mA, what should be the value of R ?
लोड प्रतिरोध (RL) पर एक जिनर डायोड 6V विभवान्तर प्रदान करता है यदि बैट्री से धारा शून्य से 100 mA तक परिवर्तित होती है तो R का मान होना चाहिए?

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For the given transistor circuit VBE = 0.7 V. Find IE :-
दिये गये ट्रांजिस्टर परिपथ में VBE = 0.7 V है त IE का मान होगा :

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The given electrical network is equivalent to :
दिया गया विद्युत नेटवर्क किस गेट के तुल्य है?

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A NPN transistor connected in common emitter configuration is shown below. If R1 = 8.6 kΩ, R2 = 100 Ω, VBE = 0.7 V, β = 100 then calculate VCE :
उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में संयोजित एक NPN ट्रांजिस्टर चित्र में प्रदर्शित है। यदि R = 8.6 KΩ, R = 100Ω, VBE = 0.7V, β = 100 हो तो VCE का मान होगा :

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What is the value of current I in the given circuit
दिये गये परिपथ में धारा I का मान है :

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The given circuit has two ideal diodes connected as shown in the figure below. The current flowing through the resistance R1 will be :-
दो आदर्श डायोडों को परिपथ में नीचे दिये आरेख में दर्शाये गये अनुसार जोड़ा गया है। R1 प्रतिरोध से प्रवाहित धारा का मान होगा

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In the combination of the following gates the output Y can be written in terms of inputs A and B as :-
चित्र में दिए गए गेटों के संयोजन में निर्गत Y को निवेशों A औ B के पदों में इस प्रकार व्यक्त किया जा सकता है

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What is the output Y in the following circuit, when all the three inputs A,B,C are first 0 and then 1?
नीचे दिये गये परिपथ में निर्गम Y क्या होगा, जबकि तीनों निवेश A, B, C प्रारंम्भ में 0 (शून्य) तथा फिर 1 (एक) है?

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To get output 1 for the following circuit, the correct choice for the input is
नीचे दिए गए परिपथ में निर्गत 1 प्राप्त करने के लिए निवेश का सही चयन है

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For given n-p-n transistor RB = 100 kΩ. The potential drop across the base emitter junction is 0.6 V then find VBB. If IC = 1 mA and β = 100
दिए गए n-p-n ट्रांजिस्टर में RB = 100kΩ है संधी पर विभवान्तर 0.6 V है तो VBB ज्ञात करें यदि Ic = 1mA तथा β = 100 हो

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If in a p-n junction, a square input signal of 10 V is applied as shown, then the output across RL will be :
यहाँ दर्शाये गये अनुसार एक p-n संधि पर 10 V का एक वर्ग-निवेश संकेत लगाया गया है। तो RL के सिरों पर निर्गत होगा :

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Which one of the following represents forward bias diode ?
निम्नांकित आरेखों में से किसमें डायोड अग्रदिशिक बायस में है ?

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Find out value of Y :-
Y का मान होगा :

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Which logic gate is represented by the following combination of logic gates ?
निम्नांकित गेटों (द्वारों) का संयोजन किस गेट को निरूपित करता है

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Consider the junction diode as ideal. The value of current flowing through AB is :
संधि डायोड को आदर्श मानकर विचार कीजिए। AB से प्रवाहित धारा का मान हैं।

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In the given figure, a diode D is connected to an external resistance R =100 Ω and an e.m.f of 3.5 V. If the barrier potential developed across the diode is 0.5 V, the current in the circuit will be :
यहाँ परिपथ में, एक डायोड D को एक बाह्य प्रतिरोध, R=100Ω तथा 3.5V ई.एम.एफ. की बैटरी से जोड़ा गया है। यदि डायोड में (दोनों क्षेत्रों की संधि के आरपार) उत्पन्न रोधिका विभव 0.5 V है

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Which of the gates is represented by above?
परिणामी को प्रदर्शित करने वाला लोजिक गेट होगा :

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In a common emitter transistor input current is 5μA and β= 100. The circuit is operated with load resistance 10 kΩ the voltage across load resistance will be
उभयनिष्ठ उत्सर्जक ट्रांजिस्टर में निवेशी धारा 5μA तथा β= 100 है 10kΩ लोड प्रतिरोध पर संचालित होता है। लोड प्रतिरोध के सिरों पर वोल्टता होगी

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