In the given figure, a diode D is connected to an external resistance R =100 Ω and an e.m.f of 3.5 V. If the barrier potential developed across the diode is 0.5 V, the current in the circuit will be :
यहाँ परिपथ में, एक डायोड D को एक बाह्य प्रतिरोध, R=100Ω तथा 3.5V ई.एम.एफ. की बैटरी से जोड़ा गया है। यदि डायोड में (दोनों क्षेत्रों की संधि के आरपार) उत्पन्न रोधिका विभव 0.5 V है

Consider the junction diode as ideal. The value of current flowing through AB is :
संधि डायोड को आदर्श मानकर विचार कीजिए। AB से प्रवाहित धारा का मान हैं।

In the combination of the following gates the output Y can be written in terms of inputs A and B as :-
चित्र में दिए गए गेटों के संयोजन में निर्गत Y को निवेशों A औ B के पदों में इस प्रकार व्यक्त किया जा सकता है

For given n-p-n transistor R_B = 100 kΩ. The potential drop across the base emitter junction is 0.6 V then find V_BB. If I_C = 1 mA and β = 100
दिए गए n-p-n ट्रांजिस्टर में R_B = 100kΩ है संधी पर विभवान्तर 0.6 V है तो V_BB ज्ञात करें यदि I_c = 1mA तथा β = 100 हो

What is the value of current I in the given circuit
दिये गये परिपथ में धारा I का मान है :

What is the output Y in the following circuit, when all the three inputs A,B,C are first 0 and then 1?
नीचे दिये गये परिपथ में निर्गम Y क्या होगा, जबकि तीनों निवेश A, B, C प्रारंम्भ में 0 (शून्य) तथा फिर 1 (एक) है?

Which of the gates is represented by above?
परिणामी को प्रदर्शित करने वाला लोजिक गेट होगा :

The given electrical network is equivalent to :
दिया गया विद्युत नेटवर्क किस गेट के तुल्य है?

Which logic gate is represented by the following combination of logic gates ?
निम्नांकित गेटों (द्वारों) का संयोजन किस गेट को निरूपित करता है

The given circuit has two ideal diodes connected as shown in the figure below. The current flowing through the resistance R₁ will be :-
दो आदर्श डायोडों को परिपथ में नीचे दिये आरेख में दर्शाये गये अनुसार जोड़ा गया है। R₁ प्रतिरोध से प्रवाहित धारा का मान होगा

A NPN transistor connected in common emitter configuration is shown below. If R₁ = 8.6 kΩ, R₂ = 100 Ω, V_BE = 0.7 V, β = 100 then calculate VCE :
उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में संयोजित एक NPN ट्रांजिस्टर चित्र में प्रदर्शित है। यदि R_₁ = 8.6 KΩ, R_₂ = 100Ω, V_BE = 0.7V, β = 100 हो तो VCE का मान होगा :

Find out value of Y :-
Y का मान होगा :

Find current through Zener diode.
जेनर डायोड से प्रवाहित धारा होगी

Which one of the following represents forward bias diode ?
निम्नांकित आरेखों में से किसमें डायोड अग्रदिशिक बायस में है ?

To get output 1 for the following circuit, the correct choice for the input is
नीचे दिए गए परिपथ में निर्गत 1 प्राप्त करने के लिए निवेश का सही चयन है

For the given transistor circuit V_BE = 0.7 V. Find I_E :-
दिये गये ट्रांजिस्टर परिपथ में V_BE = 0.7 V है त I_E का मान होगा :

In a P-N-P transistor working in common emitter mode I_C = 2m A, I_B = 5µA and R_B = 500 Ω Find transconductance ?
एक P-N-Pट्रांजिस्टर उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास से काम कर रहा है। यदि I_C = 2mA, I_B = 5µA और R_B = 500Ω हो अंतराचालकता का मान होगा :

In a common emitter transistor input current is 5μA and β= 100. The circuit is operated with load resistance 10 kΩ the voltage across load resistance will be
उभयनिष्ठ उत्सर्जक ट्रांजिस्टर में निवेशी धारा 5μA तथा β= 100 है 10kΩ लोड प्रतिरोध पर संचालित होता है। लोड प्रतिरोध के सिरों पर वोल्टता होगी

A zener diode provides 6 V voltage to load resistance (R_L). If current by battery may vary from 0 to 100 mA, what should be the value of R ?
लोड प्रतिरोध (R_L) पर एक जिनर डायोड 6V विभवान्तर प्रदान करता है यदि बैट्री से धारा शून्य से 100 mA तक परिवर्तित होती है तो R का मान होना चाहिए?

If in a p-n junction, a square input signal of 10 V is applied as shown, then the output across R_L will be :
यहाँ दर्शाये गये अनुसार एक p-n संधि पर 10 V का एक वर्ग-निवेश संकेत लगाया गया है। तो R_L के सिरों पर निर्गत होगा :