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Created on By aajkatopper



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In full wave rectifier if input voltage signal is V = Vm sin ωt, then peak inverse voltage across diode is
पूर्ण तरंग दिष्टकारी में यदि निवेशी वोल्टता संकेत V=Vmsin ωt हो तो डायोड के सिरो पर पश्च उत्क्रम वोल्टता का मान होगा

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In the circuit shown in the figure, the input voltageVi is 20 V, VBE = 0 and VCE = 0. The values of IB, IC and β are given by :-
दिए गए परिपथ आरेख में, निवेश वोल्टता (Vi) 20 V, VBE = 0 तथा VCE = 0 है। IB, Ic और β के मान होंगे

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If half wave rectifier input signal is V = 220 sin (ωt) and load resistance is 2kΩ, then output DC current is :-
एक अर्द्धतरंग दिष्टकारी में निवेशी संकेत V = 220 sin (ωt) तथा लोड प्रतिरोध 2kΩ है, तो निर्गत DC धारा होगी :

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What is the output for given combination of logic gates :-
दिये गये तर्क द्वारों के संयोजन का निर्गत होगा :

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In sample of pure silicon 1013 atom/cm3 is mixed of phosphorus. If all donar atoms are active then what will be resistivity at 200C if mobility of electron is 1200 cm2/volt-s :–
शुद्ध सिलिकन के प्रतिदर्श (नमूने) में फास्फोरस के 1013 परमाणु प्रति सेमी3 मिश्रित किये गये हैं यदि सभी दाता परमाणु क्रियाशील हों तो 20°C पर प्रतिरोधकता क्या होगी यदि इलेक्ट्रोन की गतिशीलता 1200 सेमी.2 / वोल्ट से. है:

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In the given circuit VBE = 0.7 V and β = 100, then find VCE
दिए गए परिपथ में VBE = 0.7 V तथा β = 100 है, तो VCE क्या होगा -

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Output for the following Boolean circuit is :-
दिए गए बुलियन परिपथ का निर्गत होगा :

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Mobility of electrons in N-type Ge is 5000 cm2/volts and conductivity 5 mho/cm. If effect of holes is negligible then impurity concentration will be :–
N प्रकार के जमे नियम में इलेक्ट्रोनों की गतिशीलता 5000 सेमी 2 / वोल्ट से तथा उनकी चालकता 5 म्हो/सेमी. है। यदि कोटरों का प्रभाव नगण्य माना जाये तो अशुद्धि सान्द्रता होगी

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When light is incident on solar cell, current is produced due to presence of electron hole pair of which region ?
जब सोलर सेल पर प्रकाश आपतित होता है तो किस क्षेत्र में इलेक्ट्रॉन कोटर युग्म की उपस्थिति के कारण धारा उत्पन्न होती है ?

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Characteristic curve of ideal p-n diode is :-
आदर्श p-n डायोड का अभिलाक्षणिक वक्र है:

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A p-n junction is made by defusing p-type & n-type semiconductors. If acceptor impurity doping is higher than donor impurity doping, then variation of charge density at junction is?
p-प्रकार एवं n-प्रकार के अर्द्धचालकों को विसरित करके एक p-n संधि का निर्माण किया गया है। यदि ग्राहि अशुद्धि डोपिंग दाता अशुद्धि डोपिंग से उच्च हो तो संधि पर आवेश घनत्व किस प्रकार परिवर्तित होगा ?

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How many minimum NAND gets will be required to represent the boolean expression Y = AB\overline{C} ?
बूलीयन व्यंजक Y = AB\overline{C} को प्रदर्शित करने के लिये कितने न्यूनतम NAND द्वार की आवश्यकता होगी ?

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How many minimum NAND gates are required to obtain boolean expression AB + CD ?
बूलीय तर्क AB+ CD को प्राप्त करने के लिये, न्यूनतम कितने NAND द्वारों की आवश्यकता होगी?

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If the two ends of a p-n junction are joined by a wire :–
यदि एक p - n संधि के दो सिरो को एक तार से जोड़ा जाए तो

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In given transistor circuit if VEB is negligible then find VCB.
दिये गये ट्रांजिस्टर परिपथ में यदि VEB नगण्य हो तो VCB का मान होगा

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In a circuit, zener diode of zener voltage 12 volt works with a load resistance RL = 1 kΩ and series resistance RS = 100Ω . If current through zener diode is 18 mA then find applied external voltage.
एक जीनर डायोड के परिपथ में 12 वोल्ट जीनर वोल्टता पर कार्यरत डायोड लोड़ प्रतिरोध RL = 1kΩ तथा श्रेणी प्रतिरोध Rs = 100Ω के साथ जुड़ा है। यदि जीनर डायोड से प्रवाहित धारा 18 mA हो तो बाह्य आरोपित वोल्टता का मान होगा:

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What will be conductivity of pure silicon crystal at 300 K temperature. If electron hole pairs per cm3 is 1.072 × 1010 at this temperature, μe = 1350 cm2/volt-s and μh = 480 cm2/volt-s :–
300K ताप पर शुद्ध सिलिकन क्रिस्टल की चालकता क्या होगी, यदि इस ताप पर प्रतिधन से. मी. इलेक्ट्रान कोटर युग्म :1.072 × 1010, μe = 1350 सेमी.2/वोल्ट से. और μh = 480 सेमी.2 / वोल्ट से. है

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In the given circuit what is the maximum value of RS for zener diode to regulate voltage on load resistance ?
दिये गये परिपथ में RS का अधिकतम मान क्या होगा जिससे लोड प्रतिरोध पर जीनर डायोड नियत वोल्टता प्रदान करे ?

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Final value of IB if VBE = 0.3 V in given circuit (β = 100) :In given circuit if VBE = 0.3 V then value of IB will be (b = 100)
दिये गये परिपथ में यदि VBE = 0.3 V हो तो IB का मान होगा (β = 100) :

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In a p-n junction diode, change in temperature due to heating :-
किसी p-n संधि डायोड में गर्म होने से ताप में परिवर्तन

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