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Created on By aajkatopper



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Three circuit connections of a PNP–transistor are given below :-Which of the above represents the Common-Emitter Configuration ?
PNP-ट्रॉजिस्टर के तीन परिपथों का संयोजन नीचे चित्र में दर्शाया गया है ? उपरोक्त में से कौनसा संयोजन उभयनिष्ट उत्सर्जक विन्यास को प्रदर्शित करता है।

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During regulation action of a Zener diode correct statement is :-
जीनर डायोड के नियामक प्रक्रिया के दौरान :
(a) the current and voltage across the Zener remains fixed.
जीनर डायोड से धारा तथा उसके सिरों पर वोल्टता समान बनी रहती है।
(b) the current through the series resistance (RS) changes.
श्रेणीक्रम में लगे प्रतिरोध से धारा बदलती है।
(c) the Zener resistance is constant.
जीनर प्रतिरोध नियत होता है।
(d) the resistance offered by the Zener diode changes.
जीनर डायोड द्वारा दिया प्रतिरोध बदलता है।

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A hole diffuses from the p-side to the n-side in a p-n junction. This means that :–
एक p - n संधि में एक होल p से n की ओर विसरित होता है इसका तात्पर्य है :

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Assuming the diodes to be of silicon with forward resistance zero, the current I in the following circuit is :-
मान लीजिये कि डायोड सिलिकन के है तथा अग्र प्रतिरोध शून्य है तो निम्न परिपथ में धारा का मान होगा?

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To reduce the ripples in a rectifier circuit with capacitor filter
दिष्टकारी परिपथ में उर्मिकाएं कम करने के लिए धारीतिय फिल्टर के साथ :
(a) RL should be increased.
RL का मान बढ़ाया जाना चाहिए
(b) Input frequency should be decreased.
निवेशी आवृति कम करनी चाहिए
(c) Input frequency should be increased.
निवेशी आवृति बढ़ानी चाहिए
(d) Capacitors with high capacitance should be used.
उच्च धारिता वाला संधारित्र काम में लेना चाहिए

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For the given circuit of p-n junction diode which is correct :–
संधि पर डायोड के दिये गये परिपथ में:

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In a common emitter transistor circuit, the base current is 40 µA, then VBE is :–
दिए गए उभयनिष्ठ उत्सर्जक ट्रांजिस्टर परिपथ में आधार धारा 40 µA है VBE होगा :

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The circuit shown in the figure contains three diodes each with forward resistance of 50 ohms and with infinite backward resistance. If the battery voltage is 6 V, the current through the 100 ohm resistance is :-
चित्र में प्रदर्शित तीन डायोडों में प्रत्येक का अग्र प्रतिरोध 50Ω तथा अनन्त पश्च प्रतिरोध है। यदि बैटरी वोल्टता 6 V है 100Ω प्रतिरोध से प्रवाहित धारा होगी ?

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The output across the diode in the given circuit in figure.
चित्र में दिये गये परिपथ में डायोड के सिरों पर निर्गत होगा

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The correct circuit for a pnp transistor amplifier in common emitter configuration :-
उभयनिष्ठ उत्सर्जक विन्यास में pnp ट्रॉजिस्टर प्रवर्धक के लिये सही परिपथ होगा।

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An npn transistor is baised to work as an amplifier Which of the following statement is false ?
एक npn ट्रॉजिस्टर को इस प्रकार बायसित किया जाता है वह प्रवर्धक के रूप में कार्य करे तो निम्न में से कौनसा कथन असत्य है :

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In half wave rectifier peak value of sinusodial signal is 10 V. Determine D.C. component at output :–
एक अर्द्ध-तरंग डायोड दिष्टकारी जिसे ज्यावक्रीय संकेत दिया गया है, के निर्गत की शिखर वोल्टता बिना निस्पंदन के 10 वोल्ट है। निर्गत वोल्टता का D.C. घटक है:

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Which logic gate is represented by the following combination of logic gate :-
दिया गया तर्क द्वार संयोजन किस तर्क द्वार को प्रदर्शित करता है

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Two NOT gates are connected at the two inputs of a NAND gate. This combination will behave like :-
दो NOT गेट को एक NAND गेट के दो निवेशी पर संयोजित किया गया है तो संयोजन किसकी तरह कार्य करेगा।

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Given truth table is related with :–
नीचे दी गई सत्य-सारणी प्रदर्शित करती है:

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The energy of radiation emitted by LED is :-
LED द्वारा उत्सर्जित विकिरण की ऊर्जा होती है :

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Which of the following is not a rectifer circuit ?
निम्न में से कौनसा एक दिष्टकारी परिपथ नहीं है?

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In a forward biased p-n junction diode, the potential barrier in the depletion region is of the form :–
डायोड की अग्रबायसित स्थित में अवरोधी विभव व अवक्षय परत के मध्य ग्राफ कैसा होगा

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The intrinsic carrier density in germanium crystal at 300 K is 2.5 × 1013 per cm2. If electron density in an n-type germanium crystal at 300 K be 0.5 × 1017 per cm3, a hole density (per cm3) in this n-type crystal at 300 K would be expected around
300 K ताप पर जरमेनियम क्रिस्टल में नैज वाहक घनत्व 2.5 x 1013 cm-3 है । n-प्रकार के जरमेनियम क्रिस्टल में 300 K ताप पर इलेक्ट्रॉन घनत्व 0.5 x 1017 cm-3 है 300 K ताप पर इस n- प्रकार क्रिस्टल में कोटर (प्रति cm3) लगभग होगा ?

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In the circuit shown the transistor used has current gain β = 100. What should be the base resistor RB so that VCE = 5 V, VBE =0
दिये गये परिपथ में धारा लाभ β = 100 तो RB का मान क्या होना चाहिए यहाँ VCE = 5V तथा VBE = 0 है।

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