When an impurity is doped into an intrinsic semiconductor, the conduct ivity of the semiconductor :
जब एक नेज अर्धचालक में एक अशुद्धि डोपित की जाती है तो अर्धचालक की चालकता :

Which statement is correct for p - type semiconductor
P- प्रकार के अर्द्धचालकों के लिए सत्य कथन है : -

Platinum and silicon are cooled after heating up to 25° C then :–
प्लेटिनम व सिलिकॉन को 250° C तक गर्म करने के बाद ठण्डा किया जाता है : -

Electric conduction in a semiconductor takes place due to :–
एक अर्धचालक में विद्युत चालन होता है :

A semiconductor wire is connected in an electric circuit in series and temperature of semiconductor increased then the current in the circuit :–
विद्युत परिपथ से अर्द्ध चालक पदार्थ का टुकड़ा श्रेणीक्रम में जोड़ा जाता है। ताप बढ़ाने पर परिपथ में धारा

In a p-type semicondutor, there are mainly :–
P- प्रकार के अद्धचालक में मुख्यता होत है :

Let n_p and n_e be the numbers of holes and conduction electrons in an extrinsic semiconductor.
माना कि n_p व n_e क्रमश: एक अशुद्ध अर्धचालक में होलों तथा चालन इलैक्ट्रॉनों की संख्या है तो :

A conducting wire of Copper and Germanium are cooled from room temperature to temperature 80K, then their resistance will :–
एक ताँबे व जरमेनियम के तार को कमरे के ताप से 80K तक ठण्डा किया गया है तो इनके प्रतिरोध :

When we convert pure semiconductor into N type the number of hole :–
जब शुद्ध अर्द्धचालक को N प्रकार का बनाते हैं तो कोटरों की संख्या

The atomic bonding is same for which of the following pairs :–
निम्न पदार्थों के परमाणु में बन्धन समान होता है।

Which of the following energy band diagram shows the n-type semiconductor :–
निम्न में से कौन-सा ऊर्जा-पंट्टिका चित्र n प्रकार के अर्द्धचालक को दर्शाता है :

Two wires P and Q made up of different materials have same resistance at room temperature. When heated, resistance of P increases and that of Q decreases. We conclude that:–
विभिन्न पदार्थों से बने दो तारों P एवं Q के प्रतिरोध कमरे के ताप पर समान हैं। उनको गर्म करने पर P का प्रतिरोध बढ़ता है तथा Q का घटता है। हमारा निष्कर्ष है कि:

If n_e and n_h are the number of electrons and holes in a semiconductor heavily doped with phosphorus, then :–
यदि फास्फोरस द्वारा अतिमादित अर्धचालक में इलेक्ट्रॉन और होल की संख्या n_e और n_h है

In germanium crystal, the forbidden energy gap in joule is :–
जरमेनियम के लिए वर्जित उर्जा अन्तराल का मान जूल में होगा

Choose the false statement from the following :-
निम्न में से केवल गलत कथन चुनिए :

On increasing the temperature the specific resistance of a semiconductor :–
तापमान बढ़ने पर अर्द्धचालक का विशिष्ट प्रतिरोध :

A p-type semiconductor is :–
एक p प्रकार का अर्धचालक है:

A semiconductor is damaged by a strong current, because :–
बहुत अत्यधिक धारा से अर्द्धचालक नष्ट हो जाते हैं क्योंकि :

When the conductivity of a semiconductor is only due to breaking of covalent bonds, the semiconductor is called :–
जब किसी अर्द्धचालक की चालकता केवल सहसंयोजक बन्धों के भंजन पर निर्भर करे तो यह अर्द्धचालक होगा :

In an intrinsic semiconductor, number of electrons and holes at room temperature are :–
एक नेंज अर्द्धचालक मे मुक्त e^- व होल्स की संख्या होती है