SEMICONDUCTOR AND ELECTRONICS ONLINE TEST - 02

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Created on May 26, 2022 By

aajkatopper

Physics

SEMICONDUCTOR & ELECTRONICS TEST - 2

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What is the energy gap in Si semiconductor?
सिलिकन अर्धचालक में ऊर्जा अन्तराल होता है:

(1) 4.4 eV

(2) 0.3 eV

(3) 0.7 eV

(4) 1.1 eV

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Assuming that the junction diode is ideal then the current through the diode is:-
डायोड को आदर्श मानते हुए इसमें से गुजरने वाली धारा ज्ञात करिए

(1) 200 mA

(2) 20 mA

(3) 2 mA

(4) zero

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Find V_AB :
V_AB होगा :

(1) 10 V

(2) 20 V

(3) 30 V

(4) none

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In a PN Junction diode not connected to any circuit
P - N संधि डायोड जो किसी परिपथ में नही जुड़ा हुआ है:

(1) potential is the same every where.
सभी बिन्दुओं पर विभव समान है।

(2) the P - type side is at a higher potential than the N - type side.
P - प्रकार का अर्धचालक n - प्रकार के अर्धचालक से अधिक विभव पर हैं

(3) there is an electric field at the junction directed from the N - type side to the P - type side.
संधि के निकट विद्युत क्षेत्र है जिसकी दिशा n- प्रकार से P - प्रकार की ओर है

(4) there is an electric field at the junction directed from the P - type side to the N - type side.
संधि के निकट विद्युत क्षेत्र है जिसकी दिशा P- प्रकार से n - प्रकार की ओर है

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The minority current in a p-n junction is :
एक p - n संधि में अल्पसंख्यक धारा है : -

(1) from the n-side to the p-side
n से p की ओर

(2) from the p-side to the n-side
p से n की ओर

(3) from the n-side to the p-side if the junction is forward-biased and in the opposite direction if it is reverse biased.
n से p की और जबकि संधि अग्र बायसित है तथा विपरीत दिशा में यदि संधि उत्क्रम बायसित है

(4) from the p-side to the n-side if the junction is forward-biased and in the opposite direction if it is reverse biased
p से n की ओर जबकि संधि अग्र बायसित है तथा विपरीत दिशा में यदि संधि उत्क्रम बायसित है।

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Impurity energy level of n-type semiconductor lies in:-
n-प्रकार के अर्ध-चालक में अशुद्धि ऊर्जा स्तर स्थित होता है:

(1) just above valence band
संयोजी बैंड के ठीक ऊपर

(2) just below conduction band
चालन बैंड

(3) between valence and conduction band
संयोजी और चालन बैंड के मध्य

(4) none of these
इनमें से कोई नहीं

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The majority current in a p-n junction is :
एक p - n संधि में बहुसंख्यक धारा है:

(1) from the n-side to the p-side
n से p की ओर

(2) from the p-side to the n-side
p से n की ओर

(3) from the n-side to the p-side if the junction is forward-biased and in the opposite direction if it is reverse biased
n से p की ओर यदि संधि अग्र बायसित है तथा विपरीत दिशा में यदि संधि उत्क्रम बायसित है

(4) from the p-side to the n-side if the junction is forward-biased and in the opposite direction if it is reverse biased
p से n की ओर यदि संधि अग्र बायसित है तथा विपरीत दिशा में यदि संधि उत्क्रम बायसित है

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Depletion layer in p-n junction region is caused by
p-n संधि में अवक्षय परत बनने का कारण है:

(1) drift holes
कोटरो (holes) का अपवहन

(2) diffusion of free carriers
मुक्त वाहकों का विसरण

(3) migration of impurity ions
अशुद्धि आयनों का विस्थापन

(4) drift of electrons
इलेक्ट्रॉनों का अपवहन

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In a ............... biased P-N junction, the net flow holes is from N-region to the P-region :
P-N संधि के...…....... अभिनति में कोटर का प्रवाह N से P की ओर होता है :

(1) F.B.
अग्र

(2) R. B.
पश्च

(3) Unbiased
बिना

(4) both 1 & 2
अग्र व पश्च दोनों

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In a unbias p-n junction :-
p-n संधि के अबायसित अवस्था में: -

(1) high potential is at n side and low potential is at p side.
n प्रकार उच्च विभव तथा प्रकार निम्न विभव पर होता है।

(2) high potential is at p side and low potential is at n side.
p प्रकार उच्च विभव तथा n प्रकार निम्न विभव पर होता है।

(3) p and n both are at same potential.
p प्रकार तथा n प्रकार दोनों समान विभव पर होते है।

(4) undetermined.
अनिधार्य

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Current I in the circuit will be :
परिपथ में धारा I का मान होगा :

(1) $\frac{5}{40}A$

(2) $\frac{5}{50}A$

(3) $\frac{5}{10}A$

(4) $\frac{5}{20}A$

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On increasing the reverse bias to a large value in p-n junction diode then value of current
यदि संधि को बहुत अधिक पश्च बायसित कर दिया जावे तो इसमें धारा :

(1) remains fixed
नियत रहती है

(2) increases slowly
धीरे-धीरे बढ़ती है

(3) decrease slowly
धीरे-धीरे घटती है

(4) suddenly increase
अचानक बढ़ती है

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Diffusion current in a p-n junction is greater than the drift current in magnitude :
एक p - n संधि में बहुसंख्यक धारा का परिमाण अल्पसंख्यक धारा से अधिक होगा यदि संधि :

(1) if the junction is forward-biased
अग्र बायसित है

(2) if the junction is reverse-biased
उत्क्रम वायसित है

(3) if the junction is unbiased
किसी प्रकार से बायसित नहीं है

(4) in no case
उपरोक्त में से कोई नहीं

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Which of the following diode is reverse biased :
निम्न में से कौनसा डायोड उत्क्रम अभिनति में है :

(1)

(2)

(3)

(4)

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In a p-n junction the depletion layer of thickness 10⁶ m has potential across it is 0.1 V. The average electric field is (V/m) :
p-n संधि में अवक्षय परत की चौड़ाई 10^-6 मी तथा इसके सिरों पर विभवान्तर 0.1 वोल्ट है

(1) 10⁷

(2) 10⁶

(3) 10⁵

(4) 10⁵

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Carbon, Silicon and Germanium atoms have four valence electrons each. Their valence and conduction bonds are separated by energy band gaps represented by (E_g)_C , (E_g)_Si and (E_g)_Ge respectively. Which one of the following relationships is true in their case :
कार्बन, सिलिकॉन, जरमेनियम परमाणु सभीचतुसंयोजी है, इनमें संयोजी व चालन बेण्ड में वर्जित ऊर्जा अन्तराल क्रमश: (E_g)_c, (E_g)_si व (E_g)_Ge से प्रदर्शित किया जाता है तो कोनसा सम्बन्ध सही है

(1) (E_g)_C < (Eg)_Ge

(2) (E_g)_C > (E_g)_Si

(3) (E_g)_C = (Eg)_Si

(4) (E_g)_C < (E_g)_Si

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The resistance of a reverse biased pn junction diode is about :
पश्चदिशिक बायसित संधि डायोड का प्रतिरोध होता है लगभग:

(1) 1 ohm

(2) 10² ohm

(3) 10³ ohm

(4) 10⁶ ohm

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Reverse bias applied to a junction diode :
एक जंक्शन डायोड में पश्च बायस लगाने से

(1) lowers the potential barrier.
विभव अवरोध कम होता है।

(2) raises the potential barrier.
विभव अवरोध अधिक होता है

(3) increases the majority carrier current.
बहुसंख्यक वाहक धारा बढ़ती है

(4) increases the minority carrier current.
अल्पसंख्यक वाहक धारा बढ़ती है

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Region which have no free electrons and holes in a p-n junction is :
P-N संधि युक्ति में ऐसा क्षेत्र जो मुक्त e व होल नहीं रखता है।

(1) p - region

(2) n - region

(3) junction

(4) depletion region

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In p-n junction at the near at junction there are :-
p-n संधि में संधि के निकट होते है:

(1) positive Ions
धन आयन

(2) negative Ions
ऋण आयन

(3) positive and negative Ions
धन व ऋण आयन

(4) electrons and holes
इलेक्ट्रॉन व कोटर

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