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Created on By aajkatopper



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In a P–N Junction diode not connected to any circuit
P - N संधि डायोड जो किसी परिपथ में नही जुड़ा हुआ है:

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Reverse bias applied to a junction diode :–
एक जंक्शन डायोड में पश्च बायस लगाने से

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What is the energy gap in Si semiconductor?
सिलिकन अर्धचालक में ऊर्जा अन्तराल होता है:

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Diffusion current in a p-n junction is greater than the drift current in magnitude :–
एक p - n संधि में बहुसंख्यक धारा का परिमाण अल्पसंख्यक धारा से अधिक होगा यदि संधि :

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Find VAB
VAB होगा :

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Depletion layer in p-n junction region is caused by
p-n संधि में अवक्षय परत बनने का कारण है:

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In a ............... biased P-N junction, the net flow holes is from N-region to the P-region :–
P-N संधि के...…....... अभिनति में कोटर का प्रवाह N से P की ओर होता है :

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In a unbias p-n junction :-
p-n संधि के अबायसित अवस्था में: -

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In p-n junction at the near at junction there are :-
p-n संधि में संधि के निकट होते है:

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The resistance of a reverse biased pn junction diode is about :–
पश्चदिशिक बायसित संधि डायोड का प्रतिरोध होता है लगभग:

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Which of the following diode is reverse biased :–
निम्न में से कौनसा डायोड उत्क्रम अभिनति में है :

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Region which have no free electrons and holes in a p-n junction is :–
P-N संधि युक्ति में ऐसा क्षेत्र जो मुक्त e व होल नहीं रखता है।

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The majority current in a p-n junction is :–
एक p - n संधि में बहुसंख्यक धारा है:

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Assuming that the junction diode is ideal then the current through the diode is:-
डायोड को आदर्श मानते हुए इसमें से गुजरने वाली धारा ज्ञात करिए

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Carbon, Silicon and Germanium atoms have four valence electrons each. Their valence and conduction bonds are separated by energy band gaps represented by (Eg)C , (Eg)Si and (Eg)Ge respectively. Which one of the following relationships is true in their case :–
कार्बन, सिलिकॉन, जरमेनियम परमाणु सभीचतुसंयोजी है, इनमें संयोजी व चालन बेण्ड में वर्जित ऊर्जा अन्तराल क्रमश: (Eg)c, (Eg)si व (Eg)Ge से प्रदर्शित किया जाता है तो कोनसा सम्बन्ध सही है

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The minority current in a p-n junction is :–
एक p - n संधि में अल्पसंख्यक धारा है : -

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Impurity energy level of n-type semiconductor lies in:-
n-प्रकार के अर्ध-चालक में अशुद्धि ऊर्जा स्तर स्थित होता है:

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On increasing the reverse bias to a large value in p-n junction diode then value of current
यदि संधि को बहुत अधिक पश्च बायसित कर दिया जावे तो इसमें धारा :

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In a p-n junction the depletion layer of thickness 10–6 m has potential across it is 0.1 V. The average electric field is (V/m) :–
p-n संधि में अवक्षय परत की चौड़ाई 10-6 मी तथा इसके सिरों पर विभवान्तर 0.1 वोल्ट है

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Current I in the circuit will be :–
परिपथ में धारा I का मान होगा :

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